次世代RFデバイス
RF Power Amplifierに続く、次世代のRFデバイスの研究開発を進めています。
1)効率化、高リニアリティPower Amplifierの研究
モバイル機器向けの低消費電力化要求、益々複雑になる変復調方式に対応するための、
Power Amplifier回路の研究、開発。
新たに開発したHiPAE(高電力付加効率)テクノロジーとは、パワーアンプ内部の電流バイアス
と電圧バイアスを送信信号に応じてリアルタイムに最適制御する技術であり、WiMAXに用いら
れているOFDM変調方式のような高いピークパワーが必要なパワーアンプにおいて、消費電力
の大幅な削減を可能にします。
HiPAE テクノロジー
2)ミリ波帯Power Amplifierの研究
次世代の通信バンドとなるミリ波に対応したPower Amplifier、RFトランシーバの研究、開発
3)GaNプロセスPower Amplifierの研究
GaNプロセスによる小型、高出力Power Amplifierの研究
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